关于发布集成芯片前沿技术科学基础重大研究计划2026年度项目指南的通告国科金发计〔2026〕11号国家自然科学基金委员会现发布集成芯片前沿技术科学基础重大研究计划2026年度项目指南,请申请人及依托单位按项目指南所述要求和注意事项申请，国家自然科学基金委员会2026年1月26日集成芯片前沿技术科学基础重大研究计划2026年度项目指南“集成芯片前沿技术科学基础”重大研究计划面向国家高性能集成电路的重大战略需求,聚焦集成芯片的重大基础问题,通过对集成芯片的数学基础、信息科学关键技术和工艺集成物理理论等领域的攻关,促进我国芯片研究水平的提升,为发展芯片性能提升的新路径提供基础理论和技术支撑，二、核心科学问题本重大研究计划针对集成芯片在芯粒数量、种类大幅提升后的分解、组合和集成难题,围绕以下三个核心科学问题展开研究:(一)芯粒的数学描述和组合优化理论，基于本重大研究计划的核心科学问题,以总体科学目标为牵引,2026年拟优先资助前期研究成果积累较好、交叉性强、对总体科学目标有较大贡献的申请项目:1.晶圆级的光互连架构与集成芯片，面向下一代高带宽存储集成的发展趋势,探索20层以上芯片堆叠的系统-工艺协同设计方法,研究支持D2D/D2W、混合键合/微凸点交织的集成工艺流程,揭示35μm以下超薄芯粒键合的热-电-翘曲演变规律，研究硅芯粒与二维芯粒的三维异质集成技术,开发硅-二维界面高密度垂直互连工艺和电路,揭示三维集成工艺对二维材料与器件的良率与可靠性影响，研究硅材料层与二维材料层间集成技术,开发硅后道工艺兼容的低温二维器件制备与跨层互连方法，针对异构芯粒三维芯片的制造时和运行时故障场景,研究TSV、混合键合等关键互连结构的故障机理,构建电-热-力耦合失效和性能故障理论模型,研究故障检测与定位方法，面向大模型在端侧的新应用场景,研究基于2.5D/3D混合(3.5D)的CPU+NPU异构集成芯片的设计方法,探索热-电耦合感知的多层DRAM芯粒与计算芯粒3D键合的跨层次协同设计方法,研制面向通用/专用计算芯粒的可2.5D拓展的有源硅中介层,并在其中验证2.5D/3D互连接口、垂直供电电路与中介层布局布线工具,实现3.5D异构计算集成芯片原型,集成国产CPU、NPU、DRAM等3种以上芯粒,异构芯粒总数≥36,总存储≥4GB,三维堆叠界面峰值通信带宽≥2Tbps,总算力≥200TOPS，研究支持SRAM、DRAM等多种存储类型的分布式存储架构、容错片上网络架构、芯粒间一致性互连协议,突破百芯粒大尺寸基板设计、供电、散热等关键技术并验证电-热-力仿真、翘曲模型、仿真平台等工具，(二)优先资助能够解决集成芯片领域关键技术难题,并具有应用前景的研究项目,要求项目成果在该重大研究计划框架内开源,鼓励重点项目在申请内容中明确开源指标，五、2026年度资助计划拟资助重点支持项目不超过6项,直接费用的平均资助强度约为280万元/项,资助期限为4年,重点支持项目申请书中研究期限应填写“2027年1月1日-2030年12月31日”;拟资助集成项目3项,其中指南方向“1.异构计算3.5D集成芯片”和“2.百芯粒级大规模集成芯片”直接费用的平均资助强度约为1500万元,指南方向“3.三维集成芯片的工艺测量原理与技术”的资助强度约为1200万元,资助期限为4年,集成项目申请书中研究期限应填写“2027年1月1日-2030年12月31日”，申请人和依托单位应当认真阅读并执行本项目指南、《2026年度国家自然科学基金项目指南》和《关于2026年度国家自然科学基金项目申请与结题等有关事项的通告》中相关要求，(4)申请人在申请书起始部分应明确说明申请符合本项目指南中的资助研究方向(写明指南中的研究方向序号和相应内容),以及对解决本重大研究计划核心科学问题、实现本重大研究计划科学目标的贡献，2.依托单位应当按照要求完成依托单位承诺、组织申请以及审核申请材料等工作,于2026年3月20日16时前通过信息系统逐项确认提交本单位电子申请书及附件材料,并于3月21日16时前在线提交本单位项目申请清单。