季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的SiC高温外延装备取得突破性进展，该装备的成功研制，将解决我国第三代半导体SiC器件生产用关键工艺装备全部依赖进口的“卡脖子”问题，以SiC为材料生产的各类半导体器件应用范围广泛，季华实验室研制的SiC高温外延装备便是应用在SiC器件产业链中外延层生长这一关键环节，季华实验室大功率半导体研究团队克服了国外技术封锁、疫情等重重困难，其中4件已获得专利授权，装备的主要功能和性能指标已达到设计要求，“SiC外延是SiC器件生产过程中的核心工艺，生产成本占器件生产过程的22%，其生产装备被欧美等发达国家垄断，该项目采用高稳定气体流场、压力场控制、感应加热、反应腔整机系统设计方案，结合自主开发的原位监控技术、在线清洗技术以及涂层材料和工艺，从而实现SiC外延的快速、高质量生长，该装备的成功研制将解决我国第三代半导体SiC器件生产用关键工艺装备全部依赖进口的“卡脖子”问题。